Samsung Electronics ha anunciado el comienzo de la producción la memoria más rápida para smartphones. Se trata de la primera eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) de 512 GB para su uso en smartphones premium.
Esta nueva memoria supera en tres veces la velocidad de la anterior gama de memorias de 512G eUFS 3.0. Así, al superar esta velocidad permite superar 1GB/s de almacenamiento.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung, explicó que “Con esta nueva solución de almacenamiento móvil más rápida, los usuarios de smartphones ya no tendrán que preocuparse por aquellos problemas que suelen aparecer con las tarjetas de almacenamiento convencionales”.
El representante de Samsung añadió que “La nueva eUFS 3.1 refleja nuestro compromiso continuo de apoyar la demanda cada vez mayor de los fabricantes mundiales de smartphones durante este año”.
Más rendimiento que algunos ordenadores de sobremesa
Esta nueva memoria dispone de una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s. En concreto, la memoria Samsung eUFS 3.1 de 512 GB cuenta con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s). Y tiene más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s).
A efectos prácticos esto quiere decir que los usuarios pueden disfrutar en sus smartphones, según Samsung, de la velocidad de un ordenador portátil ultradelgado al almacenar archivos masivos como vídeos de 8K o cientos de fotos de gran tamaño, sin buffering.
Transferencias más rápidas
Además, la transferencia de contenido de un teléfono antiguo a un nuevo dispositivo tardará, aproximadamente, 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, mientras que los teléfonos basados en UFS 3.0 requieren más de cuatro minutos.
Samsung ha determinado que el nuevo sistema eUFS 3.1 de 512 GB procesa hasta un 60% más rápido que la versión anterior UFS 3.0, ofreciendo 100.000 operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS) para lecturas y 70.000 IOPS para escrituras.
Tres capacidades de almacenamiento
Samsung ha anunciado que las opciones de almacenamiento que tendrá esta nueva memoria serán la inicial de 512 GB, así como las de 256 GB y 128 GB disponibles para aquellos smartphones que se lanzarán a finales de año.
Cambio de fábrica
Samsung produce la V-NAND de quinta generación en su nueva línea (X2) de Xi’an, China. No obstante, la compañía cambiará la producción en masa de V-NAND de su línea Pyeongtaek (P1) en Corea, para pasar de V-NAND de quinta generación a una sexta generación, para así abordar mejor una mayor demanda.
Listado de memorias de almacenamiento integrado de Samsung
Producto | Lectura secuencial | Escritura secuencial | Lectura aleatoria | Escritura aleatoria |
512GB eUFS 3.1 (Marzo 2020) | 2100MB/s | 1200MB/s (mejora x3) | 100,000 IOPS (mejora x1.6) | 70,000 IOPS (mejora x1.03) |
512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) | 2100MB/s | 410MB/s | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
1TB eUFS 2.1 (Enero 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
Automotive UFS 2.1 (Sept. 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
256GB UFS Card (Julio 2016) | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
128GB eUFS 2.0 (Enero 2015) | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
